Robert Moon fue un científico estadounidense, nacido en 1920 en Pawtucket, Rhode Island y fallecido en 1989 en Redwood City, California. Fue un destacado especialista en química y física, además de ser un inventor prolífico y un pionero en la tecnología de semiconductores. Moon obtuvo un título en química de la Universidad de Chicago y un doctorado en física de la Universidad de California en Berkeley. Trabajó en los Laboratorios de Investigación de la Armada de los Estados Unidos, donde participó en investigaciones sobre semiconductores, lo que lo llevó a desarrollar nuevos métodos y materiales para fabricar dispositivos electrónicos. Uno de sus inventos más destacados fue el primer transistor de película delgada de silicio, que permitió la miniaturización de circuitos y revolucionó la electrónica. A lo largo de su carrera, Moon también se dedicó a la enseñanza, ocupando puestos en la Universidad de California en Berkeley y la Universidad de Stanford. Fue autor de más de 200 publicaciones científicas y poseía 11 patentes de invención en el campo de la tecnología de semiconductores. Moon recibió varios premios y reconocimientos por su trabajo, como la Medalla de la Armada de los Estados Unidos en 1959 y la Medalla de la Fundación Nacional de Ciencia en 1973. En su honor, se creó el Premio Robert N. Noyce, que reconoce a los mejores innovadores en el campo de la tecnología de semiconductores.